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    SQ1470EH 参数 Datasheet PDF下载

    SQ1470EH图片预览
    型号： SQ1470EH
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车N沟道30 V （D -S ）， 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 ??C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 910 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQ1470EH的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQ1470EH的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQ1470EH的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SQ1470EH的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQ1470EH的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQ1470EH的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQ1470EH的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQ1470EH的Datasheet PDF文件第9页  
    SQ1470EH
    汽车N沟道
    30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    （25℃ ，除非另有说明）
    10
    V
    GS
    = 10 V直通3 V
    V
    GS
    = 2.5 V
    8
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    8
    10
    6
    6
    4
    4
    T
    C
    = 25
    °C
    2
    2
    T
    C
    = 125
    °C
    T
    C
    = - 55
    °C
    0
    1
    2
    3
    4
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    5
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    0
    输出特性
    15
    0.15
    传输特性
    12
    g
    fs
    - 跨导（S ）
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    T
    C
    = - 55
    °C
    T
    C
    = 25
    °C
    0.12
    V
    GS
    = 2.5 V
    9
    0.09
    6
    T
    C
    = 125
    °C
    0.06
    V
    GS
    = 4.5 V
    0.03
    3
    0
    0.0
    0.00
    0.6
    1.2
    1.8
    2.4
    3.0
    0
    3
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    6
    9
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    12
    15
    跨
    1000
    5
    导通电阻与漏电流
    800
    Ç - 电容（pF ）
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    4
    I
    D
    = 3.8 A
    V
    DS
    = 15 V
    600
    C
    国际空间站
    3
    400
    2
    200
    C
    OSS
    0
    0
    C
    RSS
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    1
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    Q
    g
    - 总
    门
    费（ NC ）
    电容
    栅极电荷
    3 / 11
    www.freescale.net.cn

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