SiHD3N50D
D系列功率MOSFET
TO- 252AA （高电压）
E
b3
E1
L3
D1
D
L4
H
b2
A
c2
b
e
A1
L
c
θ
L2
L1
MILLIMETERS
DIM 。
E
L
L1
L2
L3
L4
D
H
b
b2
b3
e
A
A1
c
c2
D1
E1
θ
ECN ： S- 81965 -REV 。 A， 15 - 09月08
DWG ： 5973
2.20
0.00
0.45
0.45
5.30
4.40
0'
0.89
0.64
6.00
9.40
0.64
0.77
5.21
2.286 BSC
2.38
0.13
0.60
0.58
-
-
10'
0.087
0.000
0.018
0.018
0.209
0.173
0'
分钟。
6.40
1.40
2.743 REF
0.508 BSC
1.27
1.01
6.22
10.40
0.88
1.14
5.46
0.035
0.025
0.236
0.370
0.025
0.030
0.205
马克斯。
6.73
1.77
分钟。
0.252
0.055
英寸
马克斯。
0.265
0.070
0.108 REF
0.020 BSC
0.050
0.040
0.245
0.409
0.035
0.045
0.215
0.090 BSC
0.094
0.005
0.024
0.023
-
-
10'
笔记
1.包装体型排除毛边，突起或毛刺。毛边，突起或毛刺不得超过每边0.10毫米。
在塑料机身独特的毛边，毛刺门和引脚间的最外层极端的决定2.包体的大小，但
包括塑料本体的顶部和底部之间的任何不匹配。
3.包顶部可以比包底小。
4.尺寸"b"不包括dambar突出。允许DAMBAR突出0.10毫米总超过最大"b"尺寸
物质条件。密封条不能定位脚的下部半径上。
7/9
www.freescale.net.cn
SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
