SiHD3N50D
D系列功率MOSFET
100
3.0
2.5
10
T
J
= 150 °C
I
SD
，反向漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
2.0
1.5
1.0
0.5
1
T
J
= 25 °C
0.1
V
GS
= 0 V
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
125
150
V
SD
,
源极 - 漏极
电压（V）的
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
T
J
，外壳温度（ ° C）
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
100
在这一领域
限于由R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
10
100 μs
1
限于由R
DS （ ON）
*
0.1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单身
脉冲
1
1毫秒
10毫秒
625
600
575
550
525
500
BVDSS有限公司
475
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
is
特定网络版
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
0.01
V
DS
，漏 - 源
Brakdown电压（V）
T
J
，结温（ ° C）
图。 10 - 典型的漏 - 源极电压与温度的关系
图。 8 - 最高安全工作区
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单身
脉冲
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲时间（ S）
图。 11 - 归瞬态热阻抗，结至外壳
4/9
www.freescale.net.cn
SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
