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    SIHD3N50D 参数 Datasheet PDF下载

    SIHD3N50D图片预览
    型号： SIHD3N50D
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： D系列功率MOSFET [D Series Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 410 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SIHD3N50D的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SIHD3N50D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SIHD3N50D的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SIHD3N50D的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SIHD3N50D的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SIHD3N50D的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SIHD3N50D的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SIHD3N50D的Datasheet PDF文件第9页  
    SiHD3N50D
    D系列功率MOSFET
    热电阻额定值
    参数
    最大结点到环境
    最大结至外壳（漏）
    符号
    R
    thJA
    R
    thJC
    典型值。
    -
    -
    马克斯。
    62
    1.8
    单位
    ° C / W
    特定网络阳离子
    (T
    J
    = 25 ℃，除非另有说明）
    参数
    STATIC
    漏源击穿电压
    V
    DS
    温度COEF网络cient
    门源阈值电压（N ）
    栅源漏
    零栅极电压漏极电流
    漏源导通电阻
    正向跨导
    a
    动态
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    有效输出电容，能量
    相关
    b
    有效的输出电容，时间
    相关
    c
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    门输入电阻
    漏源体二极管特性
    连续源极 - 漏极二极管电流
    脉冲二极管正向电流
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    反向恢复电流
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    I
    RRM
    MOSFET符号
    展示
    整体反转
    P - N结二极管
    D
    符号
    V
    DS
    V
    DS
    /T
    J
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    g
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    C
    O（ ER ）
    测试条件
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250 μA
    参考至25℃ ，我
    D
    = 250 μA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250 μA
    V
    GS
    = ± 30 V
    V
    DS
    = 500 V, V
    GS
    = 0 V
    V
    DS
    = 400 V, V
    GS
    = 0 V ，T
    J
    = 125 °C
    V
    GS
    = 10 V
    I
    D
    = 2.5 A
    V
    DS
    = 8 V，I
    D
    = 1.5 A
    分钟。
    500
    -
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    0.56
    -
    -
    -
    -
    2.6
    1
    175
    21
    5
    21
    26
    6
    2
    3
    12
    9
    11
    13
    3.3
    马克斯。
    -
    -
    5
    ± 100
    1
    10
    3.2
    -
    -
    -
    -
    单位
    V
    V /°C的
    V
    nA
    μA
    S
    V
    GS
    = 0 V,
    V
    DS
    = 100 V,
    F = 1 MHz的
    pF
    -
    -
    12
    -
    -
    24
    18
    22
    26
    -
    ns
    nC
    V
    DS
    = 0 V至400 V ，V
    GS
    = 0 V
    C
    O（ TR ）
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    R
    g
    F = 1MHz时，漏极开路
    V
    DD
    = 400 V，I
    D
    = 1.5 A
    R
    g
    = 9.1
    ,
    V
    GS
    = 10 V
    V
    GS
    = 10 V
    I
    D
    = 1.5 A，V
    DS
    = 400 V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    293
    0.74
    5
    3
    A
    12
    1.2
    -
    -
    -
    V
    ns
    μC
    A
    G
    S
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 1.5 A，V
    GS
    = 0 V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = I
    S
    = 1.5 A,
    的di / dt = 100 A / μs的，V
    R
    = 20 V
    笔记
    一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
    B 。 ç
    OSS （ ER ）
    是一个固定的电容，给相同的能量为C
    OSS
    而V
    DS
    上升，从0％至80 ％的V
    DSS
    .
    c. C
    OSS （ TR ）
    是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
    OSS
    而V
    DS
    上升，从0％至80 ％的V
    DSS
    .
    2/9
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