SIHD3N50D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SIHD3N50D
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内容描述：	D系列功率MOSFET [D Series Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 410 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

SiHD3N50D

D系列功率MOSFET

特点

•优化设计

- 低区导通电阻

- 低输入电容（C

国际空间站

)

- 减少电容开关损耗

- 高体二极管耐用

- 额定雪崩能量（ UIS）

•最佳效率和操作

- 低成本

- 简单的栅极驱动器电路

- 低图-的品质因数（ FOM ），R

X Q

- 快速切换

•材料分类：为符合定义

请参阅

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产品概述

（五）在T

马克斯。

DS （ ON）

最大。（  ）在25℃下

（最大值）（ NC ）

（ NC ）

CON组fi guration

= 10 V

单身

550

3.2

应用

- 消费电子

- 显示器（LCD或等离子电视）

•服务器和电信电源

- SMPS

=工业

- 焊接

- 感应加热

- 电机驱动器

•电池充电器

DPAK

(TO-252)

N沟道MOSFET

订购信息

包

铅（Pb ） - 免费

铅（ Pb），且无卤

DPAK （ TO- 252 ）

SiHD3N50D-E3

SiHD3N50D-GE3

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

栅源电压AC （F > 1赫兹）

连续漏电流（T

= 150 °C)

漏电流脉冲

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

最大功率耗散

工作结存储温度范围

漏源电压斜率

反向二极管的dv / dt

(d)

焊接建议（峰值温度）

10秒

= 125 °C

, T

英镑

dv / dt的

在10 V

= 25 °C

= 100 °C

符号

极限

500

± 30

3.0

1.9

5.5

0.56

104

- 55至+ 150

0.22

300

W / ℃，

°C

V / ns的

°C

单位

笔记

一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。

B 。 V

= 50 V ，起始物为

= 25 ° C，L = 2.3 mH的，R

= 25

,

= 2.8 A.

Ç 。 1.6毫米的情况。

D.我



，起始物为

= 25 °C.

1/9

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