AO4940
非对称双N沟道MOSFET
FET 2 ：典型的电和热性能
60
10V
50
40
I
D
(A)
4.5V
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
40
35
R
DS （ ON）
(mΩ)
Ω
30
25
20
15
10
0
5
10
15
20
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
=10V
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
V
GS
=4.5V
归一化的导通电阻
I
D
(A)
9
125°C
6
V
GS
=3.5V
3
125°C
25°C
25°
6V
12
15
V
DS
=5V
V
DS
=5V
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
1.8
V
GS
=10V
1.6
1.4
V
GS
=4.5V
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结温
60
I
D
=7.5A
50
R
DS （ ON）
(mΩ)
Ω
40
I
S
(A)
125°C
125°
I
D
=8A
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
125°C
1.0E-02
30
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
25°C
1.0E-03
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT OF20
此类应用及其产品的使用。 AOS保留改进产品设计的权利，
25°C
1.0E-04
性能和可靠性，恕不另行通知。
25°C
10
1.0E-05
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
GS
（伏）
V
SD
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
图6 ：体二极管的性能
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