AO4940
非对称双N沟道MOSFET
概述
该AO4940采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。两个MOSFET
使一个紧凑和高效的开关和同步整流器的组合中的DC- DC转换器的使用。一
单片集成肖特基二极管并联同步MOSFET ，以进一步提高效率。
特点
FET1
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 9.1A
R
DS （ ON）
< 15MΩ
R
DS （ ON）
< 23mΩ
FET2
V
DS
(V) = 30V
I
D
=7.8A
(V
GS
= 10V)
< 21mΩ
(V
GS
= 10V)
< 32mΩ
(V
GS
= 4.5V)
D1
SRFET
TM
D2
顶视图
D2
D2
G1
S1
1
2
3
4
8
7
6
5
G2
S2/D1
S2/D1
S2/D1
软恢复
MOSFET ：
集成肖特基二极管
G1
S1
G2
S2
FET1
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
最大FET1
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
AF
漏电流脉冲
B
雪崩电流
B
FET2
最大FET2
10秒
稳态
符号
V
DS
V
GS
10秒
稳态
30
±20
9.1
7.6
6.1
100
17
43
2
1.3
1.4
0.9
-55到150
2
1.3
7.8
6.3
7.3
30
±20
6.5
5.2
64
9
12
1.4
0.9
-55到150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
帝斯曼
I
DM
I
AR
E
AR
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
A
=25°
C
重复雪崩能量L = 0.3mH
B
功耗
A
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性FET1 （综合型肖特基二极管）
参数
符号
A
t
≤
10s
最大结点到环境
R
θJA
最大结点到环境
A
稳态
稳态
R
θJL
最大结对铅
C
热特性FET2
参数
符号
A
t
≤
10s
最大结点到环境
R
θJA
最大结点到环境
A
稳态
稳态
R
θJL
最大结对铅
C
典型值
48
74
32
最大
62.5
90
40
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
典型值
48
74
32
最大
62.5
90
40
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/7
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