AO4940
非对称双N沟道MOSFET
FET1 （综合型肖特基二极管）电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7.3A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=9.1A
I
S
=1A,V
GS
=0V
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=9.1A
T
J
=125°
C
1.3
100
12.5
18
18.5
26
0.43
0.5
3
903
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
225
91
1.7
15.3
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=9.1A
7.8
2.0
3.9
5.0
V
GS
=10V, V
DS
=15V,R
L
=1.65Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 9.1A ，的di / dt = 300A / μs的
9.2
17.8
4.4
17
30.0
20
3.0
20
10
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
1100
15
22
23
1.65
民
30
0.1
10
0.1
2.5
典型值
最大
单位
V
mA
µA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
最大体二极管+肖特基连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 9.1A ，的di / dt = 300A / μs的
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸2 FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=150°C.
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
F的电流额定值是基于T≤ 10秒热阻率。
转2 ： 2011年6月
2/7
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