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    AO4940 参数 Datasheet PDF下载

    AO4940图片预览
    型号： AO4940
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非对称双N沟道MOSFET [Asymmetric Dual N-Channel MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 374 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号AO4940的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AO4940的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4940的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4940的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4940的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4940的Datasheet PDF文件第7页  
    AO4940
    非对称双N沟道MOSFET
    FET 1 ：典型的电和热性能
    10
    8
    V
    GS
    （伏）
    6
    4
    2
    200
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    Q
    g
    （ NC ）
    图7 ：栅极电荷特性
    0
    0
    10
    15
    20
    25
    V
    DS
    （伏）
    图8 ：电容特性
    5
    30
    C
    RSS
    V
    DS
    =15V
    I
    D
    =9.1A
    电容（pF）
    1400
    1200
    1000
    800
    600
    400
    C
    OSS
    C
    国际空间站
    动力参数
    1000.0
    100.0
    I
    D
    （安培）
    10.0
    1.0
    0.1
    0.0
    0.01
    0.1
    1
    V
    DS
    （伏）
    10
    100
    T
    J（下最大）
    =150°C
    T
    A
    =25°C
    DC
    R
    DS （ ON）
    有限
    10µs
    功率（W）的
    100µs
    1ms
    10ms
    0.1s
    1s
    10s
    100
    T
    J（下最大）
    =150°C
    T
    A
    =25°C
    80
    60
    40
    20
    0
    0.0001
    0.1
    1
    10
    100
    脉冲宽度（S ）
    Figure10 ：单脉冲功率额定值结点到
    环境（注E）
    0.001
    0.01
    图9 ：最大正向偏置
    安全工作区（注五）
    10
    Z
    θ
    JA
    归一化瞬时
    热阻
    按降序排列
    D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
    1
    0.1
    D =吨
    on
    /T
    T
    Ĵ ，PK
    =T
    A
    +P
    DM
    .Z
    θJA
    .R
    θJA
    R
    θJA
    =90°C/W
    P
    D
    T
    on
    0.01
    单脉冲
    0.001
    0.00001
    0.0001
    0.001
    T
    100
    1000
    0.01
    0.1
    1
    10
    脉冲宽度（S ）
    图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
    4/7
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