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    K4H560838E-GLA2 参数 Datasheet PDF下载

    K4H560838E-GLA2图片预览
    型号： K4H560838E-GLA2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256Mb的E-死DDR SDRAM规格60Ball FBGA （ X4 / X8 ） [256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8)]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 24 页 / 244 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG ]
     浏览型号K4H560838E-GLA2的Datasheet PDF文件第16页浏览型号K4H560838E-GLA2的Datasheet PDF文件第17页浏览型号K4H560838E-GLA2的Datasheet PDF文件第18页浏览型号K4H560838E-GLA2的Datasheet PDF文件第19页浏览型号K4H560838E-GLA2的Datasheet PDF文件第20页浏览型号K4H560838E-GLA2的Datasheet PDF文件第21页浏览型号K4H560838E-GLA2的Datasheet PDF文件第22页浏览型号K4H560838E-GLA2的Datasheet PDF文件第24页  
    DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8)  
    DDR SDRAM  
    90  
    80  
    70  
    60  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    Maximum  
    Typical High  
    Typical Low  
    Minimum  
    0.0  
    1.0  
    2.0  
    Vout(V)  
    Pullup Characteristics for Weak Output Driver  
    0.0  
    1.0  
    2.0  
    0
    -10  
    -20  
    -30  
    -40  
    -50  
    -60  
    -70  
    -80  
    -90  
    Minumum  
    Typical Low  
    Typical High  
    Maximum  
    Vout(V)  
    Pulldown Characteristics for Weak Output Driver  
    Figure 4. I/V characteristics for input/output buffers:Pull up(above) and pull down(below)  
    Rev. 1.3 April, 2005  

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