Rev. 1.01
K4B2G0446D
K4B2G0846D
datasheet
DDR3L SDRAM
11. 2Gb DDR3 SDRAM D-die IDD Specification Table
[ Table 42 ] IDD Specification for 2Gb DDR3 D-die
512Mx4 (K4B2G0446D)
Symbol
DDR3-1066 (7-7-7)
1.35V
DDR3-1333 (9-9-9)
1.35V
DDR3-1600 (11-11-11)
Unit
NOTE
1.5V
35
45
12
15
17
20
40
17
17
30
50
35
60
110
12
105
12
1.5V
40
50
12
15
20
25
40
20
17
35
60
35
70
115
12
125
12
1.35V
40
1.5V
45
IDD0
IDD1
IDD2P0(slow exit)
IDD2P1(fast exit)
IDD2N
30
40
10
13
15
17
35
15
15
25
55
30
60
110
10
100
10
35
45
10
13
15
20
35
15
15
25
70
30
75
115
10
125
10
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
50
55
10
12
15
15
17
20
IDD2NT
IDDQ2NT
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDDQ4R
IDD4W
IDD5B
IDD6
22
25
35
40
17
20
17
20
30
35
80
70
30
35
90
85
115
10
120
12
IDD7
IDD8
130
10
130
12
NOTE : V condition : 1.45V for 1.35V operation, 1.575V for 1.5V operation
DD
256Mx8 (K4B2G0846D)
DDR3-1333 (9-9-9)
Symbol
DDR3-1066 (7-7-7)
DDR3-1600 (11-11-11)
Unit
NOTE
1.35V
1.5V
35
45
1.35V
35
45
10
13
15
20
65
15
15
25
60
45
65
115
10
120
10
1.5V
40
50
12
15
20
25
70
20
17
35
75
50
80
115
12
135
12
1.35V
40
50
10
15
17
22
65
17
17
30
65
45
75
115
10
125
10
1.5V
45
55
12
15
20
25
70
20
20
35
90
50
95
120
12
140
12
IDD0
IDD1
IDD2P0(slow exit)
IDD2P1(fast exit)
IDD2N
30
40
10
13
15
17
65
15
15
25
50
45
55
110
10
95
10
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
12
15
17
20
70
17
17
30
65
50
70
110
12
IDD2NT
IDDQ2NT
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDDQ4R
IDD4W
IDD5B
IDD6
IDD7
IDD8
105
12
NOTE : V condition : 1.45V for 1.35V operation, 1.575V for 1.5V operation
DD
- 41 -
SAMSUNG [ SAMSUNG ]
