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    STM8500 参数 Datasheet PDF下载

    STM8500图片预览
    型号： STM8500
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    内容描述： 双ê nhancement模式场效应晶体管（ N和P沟道） [Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 11 页 / 1089 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STM8500的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STM8500的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STM8500的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STM8500的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STM8500的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STM8500的Datasheet PDF文件第9页浏览型号STM8500的Datasheet PDF文件第10页浏览型号STM8500的Datasheet PDF文件第11页  
    S T M8500
    N-C hannel
    V
    G S
    , G ate to S ource V oltage (V )
    10
    I
    D
    , Drain C urrent (A)
    40
    5
    8
    6
    4
    2
    0
    0
    V
    DS
    =30V
    I
    D
    =4.5A
    10
    R
    D
    ON
    S
    (
    )L
    im
    it
    10m
    10
    1s
    DC
    s
    0m
    s
    11
    0.1
    0.03
    V
    G S
    =10V
    S ingle P ulse
    T
    A
    =25 C
    0.1
    1
    10
    50 60
    3
    6
    9
    12
    15
    18
    21 24
    Q g, T otal G ate C harge (nC )
    V
    DS
    , Drain-S ource V oltage (V )
    F igur e 9. G ate C har ge
    F igur e 10. M aximum Safe
    O per ating A r ea
    P-C hannel
    -V
    G S
    , G ate to S ource V oltage (V )
    10
    -I
    D
    , Drain C urrent (A)
    50
    8
    6
    4
    2
    0
    0
    V
    DS
    =-30V
    I
    D
    =-3A
    10
    R
    DS
    (O
    L
    N)
    im
    it
    1m
    10
    10
    DC
    s
    11
    ms
    1s
    0m
    s
    0.1
    0.03
    V
    G S
    =-10V
    S ingle P ulse
    T
    A
    =25 C
    0.1
    1
    10
    50 60
    3
    6
    9
    12
    15
    18
    21 24
    Q g, T otal G ate C harge (nC )
    -V
    DS
    , B ody Diode F orward V oltage (V )
    F igur e 9. G ate C har ge
    F igur e 10. M aximum Safe
    O per ating A r ea
    8

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