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SDM8401 参数 Datasheet PDF下载

SDM8401图片预览
型号: SDM8401
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内容描述: 双ê nhancement模式域E ffect晶体管( N和P沟道) [Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 1080 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S DM8401  
N-Channel E LE CTR ICAL CHAR ACTE R IS TICS (T  
A
= 25 C unles s otherwis e noted)  
C
Typ Max  
P arameter  
C ondition  
Min  
30  
Unit  
S ymbol  
5
OFF C HAR AC TE R IS TIC S  
V
G S 0V, I  
=
D 250uA  
=
Drain-S ource Breakdown Voltage  
V
BVDS S  
uA  
nA  
I
I
DS S  
G S S  
V
V
DS 24V, VG S 0V  
Zero G ate Voltage Drain C urrent  
G ate-Body Leakage  
1
=
=
G S  
16V, VDS 0V  
=
100  
=
b
ON C HAR AC TE R IS TIC S  
1.5  
V
G S (th)  
1
3
V
G ate Threshold Voltage  
V
DS =VG S , I  
= 250uA  
D
m ohm  
m ohm  
18.5  
25  
=
=
21  
32  
V
V
V
V
G S 10V, I  
D
9A  
Drain-S ource On-S tate R esistance  
R
DS (ON)  
G S =4.5V, I  
D
= 7A  
DS = 10V, VG S = 10V  
On-S tate Drain C urrent  
I
D(ON)  
A
S
40  
gFS  
16  
Forward Transconductance  
=
DS  
10V, I 20A  
=
D
c
DYNAMIC C HAR AC TE R IS TIC S  
Input C apacitance  
950  
P
P
P
F
F
F
C
IS S  
V
DS =15V, VG S = 0V  
420  
110  
Output C apacitance  
C
C
OS S  
R S S  
f =1.0MH  
Z
R everse Transfer C apacitance  
S WITC HING C HAR AC TE R IS TIC S c  
7
Turn-On Delay Time  
t
D(ON)  
ns  
ns  
V
DD = 15V,  
= 1A,  
G S = 10V,  
G E N = 6  
I
D
30  
R ise Time  
tr  
V
R
14  
54  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
tD(OFF)  
ns  
ns  
nC  
tf  
V
V
DS =15V, I  
D
D
=9A,VG S =10V  
=9A,VG S =4.5V  
35  
25.2  
Q
g
Total G ate C harge  
DS =15V, I  
12.1  
5.12  
14.6  
nC  
nC  
nC  
G ate-S ource C harge  
G ate-Drain C harge  
Q
Q
gs  
V
V
DS =15V, I  
G S =10V  
D
= 9A,  
gd  
4.8  
2
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