HAT3010R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HAT3010R
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	硅N / P沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon N / P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用：	晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小：	10 页 / 116 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

HAT3010R

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

反向恢复时间trr （ NS ）

1000

500

体漏二极管的反向

恢复时间

TC = -25°C

75°C

0.5

–0.1 –0.3

= –10 V

脉冲测试

–1

–3

–10

–30

–100

25°C

200

100

–0.1 –0.3

的di / dt = 100 A /

µs

= 0 ， TA = 25℃

–1

–3

–10

–30

–100

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

(V)

5000

2000

反向漏电流

(A)

动态输入特性

= –10 V

–25 V

–50 V

电容C （PF ）

–20

–4

1000

500

200

100

西塞

漏源极电压

–40

–60

= –10 V

–25 V

–50 V

= –5 A

–8

科斯

CRSS

–12

–80

–16

= 0

F = 1 MHz的

–10

–20

–30

–40

–50

–100

–20

漏极至源极电压V

(V)

栅极电荷

QG （ NC ）

开关特性

1000

300

100

TD （关闭）

TD （上）

= –10 V, V

= –30 V

PW = 5

µs,

税

≤

1 %

–1

–3

–10

–30

–100

–10

反向漏电流 -

源极到漏极电压

反向漏电流I

(A)

脉冲测试

开关时间t（ NS ）

–8

–

10 V

–6

–

5 V

= 0, 5 V

–4

–2

–0.1 –0.3

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

漏电流

(A)

源极到漏极电压

(V)

Rev.10.00 2005年9月7日第7 9

栅极至源极电压

(V)

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案