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    HAT3010R 参数 Datasheet PDF下载

    HAT3010R图片预览
    型号： HAT3010R
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N / P沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon N / P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 116 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号HAT3010R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HAT3010R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HAT3010R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HAT3010R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HAT3010R的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HAT3010R的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HAT3010R的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HAT3010R的Datasheet PDF文件第10页  
    HAT3010R
    P沟道
    最高安全工作区
    –100
    0
    µ
    1m
    s
    s
    10
    10
    µ
    s
    典型的输出特性
    –10
    –10 V
    脉冲测试
    –6 V
    –4.5 V
    –6
    –3.5 V
    I
    D
    (A)
    漏电流
    漏电流
    PW
    DC
    =1
    Op
    0m
    ERA
    s
    –1
    TIO
    n(
    PW
    ≤
    1
    记
    操作
    0s
    7
    )
    -0.1这个区域是
    限于由R
    DS （ ON）
    I
    D
    (A)
    –10
    –8
    –4
    –3 V
    –2
    V
    GS
    = –2.5 V
    0
    –0.01
    TA = 25°C
    1次脉冲
    –1
    –3
    –10
    –30
    –100
    –0.001
    –0.1 –0.3
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    注7 ：
    当使用玻璃环氧基板
    （ FR4 40
    ×
    40
    ×
    1.6 mm)
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    典型的传输特性
    漏极至源极饱和电压与
    栅极至源极电压
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    –10
    V
    DS
    = –10 V
    脉冲测试
    –1.0
    脉冲测试
    I
    D
    (A)
    –8
    –0.8
    –6
    –0.6
    漏电流
    –4
    TC = 75℃
    25°C
    –25°C
    0
    0
    –1
    –2
    –3
    –4
    –5
    –0.4
    I
    D
    = –5 A
    –0.2
    –2 A
    –1 A
    –2
    0
    0
    –5
    –10
    –15
    –20
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    1.0
    脉冲测试
    0.5
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    静态漏极至源极通态电阻
    与漏电流
    静态漏极至源极通态电阻
    与温度的关系
    0.25
    脉冲测试
    漏极至源极导通电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    0.20
    –5 V
    0.15
    I
    D
    = –1 A, –2 A
    V
    GS
    = –4.5 V
    0.10
    –5 V
    0.05
    –10 V
    0
    –40
    0
    40
    80
    120
    160
    –1 A, –2 A
    0.2
    0.1
    0.05
    V
    GS
    = –4.5 V
    –10 V
    0.02
    0.01
    –1
    –3
    –10
    –30
    –100
    漏电流
    I
    D
    (A)
    外壳温度
    TC （ ℃）
    Rev.10.00 2005年9月7日第6 9

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