HAT3010R
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
散热通道
通道温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
注1
价值
NCH
60
±20
6
48
6
2
3
150
PCH
–60
±20
–5
–40
–5
2
3
150
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
I
DR
注2
PCH
PCH
总胆固醇
注3
储存温度
TSTG
-55到+150
-55到+150
注意事项： 1， PW
≤
10
µs,
占空比
≤
1%
2. 1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
10 s
3. 2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
10 s
电气特性
N沟道
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
60
±20
—
—
1.0
—
—
7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
25
32
11
1050
150
90
15
15
55
10
0.85
50
最大
—
—
±10
1
2.5
32
45
—
—
—
—
—
—
—
—
1.10
—
单位
V
V
µA
µA
V
mΩ
mΩ
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 µA,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
注4
I
D
= 3 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 3 A，V
GS
= 4.5 V
注4
I
D
= 3 A，V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= 10 V，I
D
= 3 A
V
DD
≅
30 V
R
L
= 10
Ω
RG = 4.7
Ω
I
F
= 6 A，V
GS
= 0
I
F
= 6 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
注4
注4
Rev.10.00 2005年9月7日第2 9
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
