HAT3010R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HAT3010R
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内容描述：	硅N / P沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon N / P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用：	晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小：	10 页 / 116 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

HAT3010R

P沟道

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

注意：

5.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （关闭）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

民

–60

±20

—

–1.0

—

典型值

—

1350

135

–0.85

最大

—

±10

–1

–2.5

130

—

–1.10

—

单位

µA

mΩ

测试条件

= -10毫安，V

= 0

±100 µA,

= 0

±16

V, V

= 0

= –60 V, V

= 0

= -10 V，I

= -1毫安

= -2.5 A，V

= –10 V

注5

= -2.5 A，V

= –4.5 V

= -2.5 A，V

= –10 V

= 0

F = 1 MHz的

= -10 V，I

= –2.5 A

≅

–30 V

= 12

Ω

RG = 4.7

Ω

= -5 A ，V

= 0

= -5 A ，V

= 0

/ DT = 100 A / μs的

注5

Rev.10.00 2005年9月7日第3 9

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