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HAT2164H-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

HAT2164H-EL-E图片预览
型号: HAT2164H-EL-E
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内容描述: 硅N通道功率MOS FET电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
文件页数/大小: 8 页 / 90 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT2164H
反向漏电流 -
源极到漏极电压
100
反向漏电流I
DR
(A)
(兆焦耳)
最大雪崩能量 -
通道温度降额
100
80
60
40
20
0
25
I
AP
= 30 A
V
DD
= 15 V
值班< 0.1 %
Rg
50
80
60
40
20
10 V
5V
V
GS
= 0
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
2.0
(V)
重复性雪崩能量ê
AR
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
沟道温度Tch ( ° C)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γs
(t)
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
θch
- C (T ) =
γs
(t)
• θch
- c
θch
- C = 4.17 ° C / W ,TC = 25°C
P
DM
u
tp
LSE
0.05
0.03
0.02
1
0.0
1s
D=
PW
T
PW
T
ho
0.01
10
µ
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW (S )
雪崩测试电路
雪崩波形
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
( BR ) DSS
I
AP
V
DD
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
Rg
D. U.牛逼
I
D
VIN
15 V
50
0
V
DD
Rev.5.00 2005年9月26日第5页7