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HAT2164H-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

HAT2164H-EL-E图片预览
型号: HAT2164H-EL-E
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内容描述: 硅N通道功率MOS FET电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
文件页数/大小: 8 页 / 90 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT2164H
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
8
脉冲测试
6
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | ( S)
1000
300
100
TC = -25°C
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
0.3
1
3
V
DS
= 10 V
脉冲测试
10
30
100
25°C
75°C
I
D
= 10 A, 20 A
50 A
4
V
GS
= 4.5 V
10 A, 20 A, 50 A
10 V
2
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
Tc
(°C)
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
10000
西塞
3000
1000
300
100
30
10
100
0
5
10
15
20
科斯
CRSS
体漏二极管的反向
恢复时间
100
反向恢复时间trr ( NS )
50
20
的di / dt = 100 A /
µs
V
GS
= 0 , TA = 25℃
0.3
1
3
10
30
电容C (PF )
10
0.1
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
25
30
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
I
D
= 60 A
V
DD
= 5 V
10 V
25 V
V
DD
= 25 V
V
DS
10 V
5V
0
200
V
GS
16
开关特性
V
GS
(V)
20
1000
300
100
30 t
D(上)
10
tr
3
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
RG = 4.7
,职务
1 %
2
5 10 20
50 100
tf
TD (关闭)
50
漏源极电压
30
12
20
8
10
4
栅极至源极电压
开关时间t( NS )
40
0
40
80
120
160
0.1 0.2 0.5 1
栅极电荷
QG ( NC )
漏电流
I
D
(A)
Rev.5.00 2005年9月26日第4 7