HAT2164H-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HAT2164H-EL-E
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内容描述：	硅N通道功率MOS FET电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching]
分类和应用：	晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
文件页数/大小：	8 页 / 90 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

HAT2164H

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注： 4.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

民

±20

—

0.8

—

典型值

—

2.5

3.0

130

7600

1050

470

0.5

0.82

最大

—

±10

2.3

3.1

4.4

—

1.07

—

单位

µA

mΩ

Ω

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

= ±100

µA,

= 0

= ±16 V, V

= 0

= 30 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 30 A，V

= 10 V

Note4

= 30 A，V

= 4.5 V

Note4

= 30 A，V

= 10 V

Note4

= 10 V, V

= 0中，f = 1 MHz的

= 10 V, V

= 4.5 V,

= 60 A

= 10 V，I

= 30 A,

≅

10 V ，R

= 0.33

Ω,

RG = 4.7

Ω

IF = 60 A，V

= 0

Note4

IF = 60 A，V

= 0

/ DT = 100 A /

µs

Rev.5.00 2005年9月26日第2 7

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