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HAT2164H-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

HAT2164H-EL-E图片预览
型号: HAT2164H-EL-E
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内容描述: 硅N通道功率MOS FET电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
文件页数/大小: 8 页 / 90 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT2164H
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G0003-0500
Rev.5.00
2005年9月26日
特点
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 2.5 m
(典型值) 。 (在V
GS
= 10 V)
概要
瑞萨封装代码: PTZZ0005DA -A )
(包名称: LFPAK )
5
D
5
4
23
4
G
1,2, 3源
4
5
S S S
1 2 3
1
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳热阻
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10
µs,
占空比
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C , RG
50
3, TC = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
AP注2
E
AR注2
PCH
Note3
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
30
±20
60
240
60
30
90
30
4.17
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
Rev.5.00 2005年9月26日第1页7