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HAT2022R 参数 Datasheet PDF下载

HAT2022R图片预览
型号: HAT2022R
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内容描述: 硅N沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小: 7 页 / 89 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT2022R
反向漏电流 -
源极到漏极电压
50
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
40
30
5V
20
10
V
GS
=
0, –5
V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
10
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
θch
- F(T) =
γ
S( T) •
θch
– f
θch
- F = 83.3 ° C / W ,TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
P
DM
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
PW
T
0.01
0.001
1s
0.0001
10
µ
pu
LSE
100
µ
脉冲宽度PW (S )
开关时间测试电路
开关时间波形
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
VIN
VOUT
10%
10%
90%
10%
VIN
4V
50
V
DD
= 10 V
TD (上)
90%
tr
90%
TD (关闭)
tf
Rev.12.00 2005年9月7日第5 6