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    HAT2022R 参数 Datasheet PDF下载

    HAT2022R图片预览
    型号： HAT2022R
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管脉冲电源开关光电二极管
    文件页数/大小： 7 页 / 89 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号HAT2022R的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HAT2022R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HAT2022R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HAT2022R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HAT2022R的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HAT2022R的Datasheet PDF文件第7页  
    HAT2022R
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    漏电流峰值
    体漏二极管的反向漏电流
    散热通道
    通道温度
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    I
    DR
    注1
    价值
    30
    ±20
    11
    88
    11
    2.5
    150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    °C
    °C
    PCH
    总胆固醇
    注2
    储存温度
    TSTG
    -55到+150
    注意事项： 1， PW
    ≤
    10
    µs,
    占空比
    ≤
    1%
    2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40
    ×
    40
    ×
    1.6毫米） ， PW
    ≤
    10 s
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源击穿电压
    栅源击穿电压
    门源漏电流
    零栅极电压漏极电流
    门源截止电压
    静态漏极至源极通态电阻
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    体漏二极管的正向电压
    体漏二极管的反向恢复时间
    注意：
    3.脉冲测试
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    V
    （ BR ） GSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    GS （关闭）
    R
    DS （ ON）
    R
    DS （ ON）
    |y
    fs
    |
    西塞
    科斯
    CRSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    DF
    t
    rr
    民
    30
    ±20
    —
    —
    1.0
    —
    —
    12
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    0.012
    0.017
    18
    1450
    950
    380
    60
    450
    80
    160
    0.8
    70
    最大
    —
    —
    ±10
    10
    2.0
    0.015
    0.025
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    1.3
    —
    单位
    V
    V
    µA
    µA
    V
    Ω
    Ω
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    ns
    I
    F
    = 11 A，V
    GS
    = 0
    I
    F
    = 11 A，V
    GS
    = 0
    di
    F
    / DT = 20 A / μs的
    注3
    测试条件
    I
    D
    = 10 mA时， V
    GS
    = 0
    I
    G
    =
    ±100 µA,
    V
    DS
    = 0
    V
    GS
    =
    ±16
    V, V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 30 V, V
    GS
    = 0
    V
    DS
    = 10 V，I
    D
    = 1毫安
    I
    D
    = 6 A，V
    GS
    = 10 V
    注3
    I
    D
    = 6 A，V
    GS
    = 4 V
    I
    D
    = 6 A，V
    DS
    = 10 V
    V
    DS
    = 10 V
    V
    GS
    = 0
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 4 V，I
    D
    = 6 A,
    V
    DD
    ≅
    10 V
    注3
    注3
    Rev.12.00 2005年9月7日第2 6

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