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    HAT2022R 参数 Datasheet PDF下载

    HAT2022R图片预览
    型号： HAT2022R
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管脉冲电源开关光电二极管
    文件页数/大小： 7 页 / 89 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号HAT2022R的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HAT2022R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HAT2022R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HAT2022R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HAT2022R的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HAT2022R的Datasheet PDF文件第7页  
    HAT2022R
    静态漏极至源极通态电阻
    与温度的关系
    0.05
    脉冲测试
    0.04
    I
    D
    = 2 A, 5 A, 10 A
    V
    GS
    = 4 V
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    正向转移导纳主场迎战
    漏电流
    正向转移导纳| YFS | （ S）
    50
    TC = -25°C
    20
    10
    5
    75°C
    2
    1
    0.5
    0.2
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    0.5
    1
    2
    5
    10
    20
    25°C
    0.03
    0.02
    0.01
    10 V
    0
    –40
    0
    40
    2 A, 5 A, 10 A
    80
    120
    160
    外壳温度
    Tc
    (°C)
    漏电流I
    D
    (A)
    典型的电容比。
    漏源极电压
    10000
    3000
    西塞
    1000
    300
    100
    30
    10
    科斯
    CRSS
    体漏二极管的反向
    恢复时间
    反向恢复时间trr （ NS ）
    500
    100
    50
    20
    10
    5
    0.2
    的di / dt = 20A /
    µs
    V
    GS
    = 0 ， TA = 25℃
    0.5
    1
    2
    5
    10
    20
    电容C （PF ）
    200
    V
    GS
    = 0
    F = 1 MHz的
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    反向漏电流I
    DR
    (A)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    动态输入特性
    V
    DS
    (V)
    I
    D
    = 11 A
    V
    DD
    = 5 V
    10 V
    25 V
    V
    DS
    20
    V
    GS
    8
    16
    开关特性
    V
    GS
    (V)
    20
    1000
    500
    tr
    tf
    TD （关闭）
    TD （上）
    50
    40
    开关时间t（ NS ）
    漏源极电压
    30
    12
    栅极至源极电压
    200
    100
    50
    10
    0
    0
    20
    V
    DD
    = 25 V
    10 V
    5V
    40
    60
    80
    4
    0
    100
    20 V = 4 V, V = 10 V
    GS
    DD
    PW = 3
    µs,
    税
    ≤
    1 %
    10
    0.2
    0.5
    1
    2
    5
    10
    20
    栅极电荷
    QG （ NC ）
    漏电流
    I
    D
    (A)
    Rev.12.00 2005年9月7日第4 6

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