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HAT2022R 参数 Datasheet PDF下载

HAT2022R图片预览
型号: HAT2022R
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内容描述: 硅N沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小: 7 页 / 89 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT2022R
主要特点
功率与温度降额
4.0
100
测试条件:
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6毫米) , PW
10 s
30
PW
最高安全工作区
P沟(W)的
I
D
(A)
1m
=
10
10
µs
3.0
10
3
DC
s
100
µs
Op
e
散热通道
ra
2.0
漏电流
n
(P
W
N
1在操作
1
OTE 4
这个区域是
0
s)
0.3限制由R
DS ( ON)
TIO
ms
1.0
0.1
0.03 TA = 25℃
1次脉冲
0.01
0.1 0.3
1
0
0
50
100
150
200
3
10
30
100
环境温度
的Ta (℃)
漏源极电压
V
DS
(V)
注4 :
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
典型的输出特性
50
10 V
6V
5V
4.5 V
30
3.5 V
4V
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
(A)
(A)
I
D
漏电流
40
脉冲测试
16
I
D
12
漏电流
20
3V
10
V
GS
= 2.5 V
0
0
2
4
6
8
10
8
25°C
TC = 75℃
4
–25°C
0
0
1
2
3
4
5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
V
DS ( ON)
(V)
脉冲测试
0.4
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
0.2
脉冲测试
0.1
0.05
V
GS
= 4 V
0.5
漏源极电压
0.3
0.02
0.01
0.2
I
D
= 10 A
0.1
5A
2A
0
0
2
4
6
8
10
10 V
0.005
0.002
0.5
1
2
5
10
20
50
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.12.00 2005年9月7日第3页6