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    2SC3355 参数 Datasheet PDF下载

    2SC3355图片预览
    型号： 2SC3355
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大 [NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 10 页 / 242 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SC3355的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3355的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC3355的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SC3355的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SC3355的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SC3355的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SC3355的Datasheet PDF文件第9页浏览型号2SC3355的Datasheet PDF文件第10页  
    2SC3355
    噪声系数与
    集电极电流
    7
    6
    噪声系数NF （ dB）的
    三阶互调失真IM
    3
    （ dB）的
    二阶互调失真IM
    2
    （ dB）的
    IM
    3
    ， IM
    2
    与集电极电流
    –100
    –90
    –80
    –70
    –60
    –50
    –40
    –30
    20
    30
    40
    50
    60
    70
    V
    CE
    = 10 V
    V
    o
    = 100分贝
    µ
    V/50
    Ω
    R
    g
    = R
    e
    = 50
    Ω
    IM
    2
    F = 90 + 100兆赫
    IM
    3
    ： F = 2 × 200 - 190兆赫
    V
    CE
    = 10 V
    F = 1 GHz的
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    0.5
    1
    5
    10
    50 70
    IM
    3
    IM
    2
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    备注
    该图表显示的标称特性。
    S-参数
    S参数/设置在NEC的复合半导体器件的Web站点中的一种形式的噪声参数
    （ S2P ），使​​直接导入到微波电路仿真器无需键盘输入。
    点击这里下载S参数。
    [RF与微波]
    →
    [设备参数]
    网址http://www.csd-nec.com/
    4
    数据表PU10208EJ01V0DS

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