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2SC3355 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC3355
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内容描述: NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大 [NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 10 页 / 242 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SC3355
典型特征(T
A
= + 25 ℃,除非另有规定)
°
总功耗
- 环境温度
反向传输电容C
re
(PF )
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
2
F = 1 MHz的
1 250
总功耗P
合计
( mW)的
散热器
(铝)
3.8 mm
带散热片
750
10 mm
1 000
19 mm
1
500
自由的空气
250
7.8 mm
0.5
0
25
50
75
100
125
150
0.3
0.2
0.5
1
2
5
10
20 30
环境温度T
A
(˚C)
集电极基极电压V
CB
(V)
直流电流增益主场迎战
集电极电流
200
增益带宽乘积F
T
(千兆赫)
增益带宽积
与集电极电流
10
V
CE
= 10 V
5
V
CE
= 10 V
直流电流增益ħ
FE
100
2
1
0.5
50
20
0.2
0.1
0.1
10
0.5
1
5
10
50
0.5
1
5
10
50 100
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
插入功率增益, MAG
与频率的关系
插入功率增益| S
21e
|
2
( dB)的
最大可用功率增益MAG (分贝)
插入功率增益
与集电极电流
15
插入功率增益| S
21e
|
2
( dB)的
25
MAG
20
|S
21e
|
2
15
V
CE
= 10 V
F = 1 GHz的
10
10
5
5
V
CE
= 10 V
I
C
= 20毫安
0
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
0
0.5
1
5
10
50 70
频率f( GHz)的
集电极电流I
C
(MA )
数据表PU10208EJ01V0DS
3