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型号: 2SC3355
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内容描述: NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大 [NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 10 页 / 242 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SC3355
电气特性(T
A
= +25°C)
°
参数
DC特性
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
射频特性
增益带宽积
插入功率增益
噪声图(1)
噪声图(2)
输出电容
f
T
S
21e
2
NF
NF
C
ob
注2
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
V
CB
= 10 V,I
E
= 0毫安
V
EB
= 1.0 V,I
C
= 0毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 20毫安
50
120
1.0
1.0
300
µ
A
µ
A
V
CE
= 10 V,I
C
= 20毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 20 mA时, F = 1 GHz的
V
CE
= 10 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
V
CE
= 10 V,I
C
= 40 mA时, F = 1 GHz的
V
CB
= 10 V,I
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
6.5
9.5
1.1
1.8
0.65
3.0
1.0
GHz的
dB
dB
dB
pF
注意事项1 。
脉搏测量: PW
350
µ
S,占空比
2%
2.
集电极基极电容,当发射器接地
h
FE
分类
记号
h
FE
价值
K
K
50至300
2
数据表PU10208EJ01V0DS