数据表
NPN硅晶体管RF
2SC3355
NPN外延硅晶体管RF
高频低噪声放大
描述
该2SC3355是专为低噪声放大器的VHF ， UHF和CATV频段的NPN硅外延晶体管。
它具有朗格动态范围和良好的电流特性。
特点
•低噪声和高增益
NF = 1.1 dB典型值。 ，G
a
= 8.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 10 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
NF = 1.8 dB典型值。 ，G
a
= 9.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 10 V，I
C
= 40 mA时， F = 1 GHz的
•高功率增益： MAG = 11 dB典型值。 @ V
CE
= 10 V，I
C
= 20 mA时， F = 1 GHz的
订购信息
产品型号
2SC3355
2SC3355-T
QUANTITY
500件（非卷轴）
2.5千件/盒（箱式）
供给方式
•16毫米宽的径向编带
•供应纸带与在一个盒子
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
单位样本量为500个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
评级
20
12
3.0
100
600
150
−65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
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这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC化合物半导体器件检查
代表性的产品供应及其他信息。
一号文件PU10208EJ01V0DS （第1版）
（上一页第P10355EJ3V1DS00 ）
发布日期2003年4月CP （ K）
日本印刷
商标
•
表示主要修改点。
©
NEC化合物半导体器件1985年， 2003
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
