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HAT1127H-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

HAT1127H-EL-E图片预览
型号: HAT1127H-EL-E
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内容描述: 硅P沟道功率MOS FET电源开关 [Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
文件页数/大小: 7 页 / 87 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT1127H
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
–50
Reverse Drain Current I
DR
(A)
–40
–10 V
–5 V
V
GS
= 0
–30
–20
–10
Pulse Test
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Normalized Transient Thermal Impedance
γ
s (t)
3
Tc = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
θch
- f(t) =
γs
(t) x
θch
- f
θch
- f = 4.17°C/W, Tc = 25°C
P
DM
u
tp
lse
0.05
0.03
0.02
1
0.0
1s
D=
PW
T
PW
T
ho
0.01
10
µ
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
Switching Time Test Circuit
Vin
Vin Monitor
Rg
D.U.T.
R
L
Vout
Monitor
10%
Waveform
90%
90%
90%
Vin
–10 V
V
DD
= –10 V
Vout
td(on)
10%
tr
td(off)
10%
tf
Rev.5.00 Jan 20, 2006 page 5 of 6