欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SK3155 参数 Datasheet PDF下载

2SK3155图片预览
型号: 2SK3155
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
文件页数/大小: 8 页 / 88 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
 浏览型号2SK3155的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK3155的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3155的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3155的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK3155的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK3155的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK3155的Datasheet PDF文件第8页  
2SK3155  
Reverse Drain Current vs.  
Source to Drain Voltage  
Maximum Avalanche Energy vs.  
Channel Temperature Derating  
20  
16  
12  
8
20  
16  
12  
8
IAP= 15 A  
VDD = 50 V  
duty < 0.1 %  
Rg > 50 Ω  
10 V  
VGS = 0, –5 V  
5 V  
4
4
0
Pulse Test  
1.6 2.0  
0
0.4  
0.8  
1.2  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Source to Drain Voltage VSD (V)  
Channel Temperature Tch (°C)  
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width  
3
1
Tc = 25°C  
D = 1  
0.5  
0.3  
0.1  
θ
θ
γ
θ
ch – c(t) = s (t) ch – c  
ch – c = 4.17°C/W, Tc = 25°C  
PW  
T
P
DM  
D =  
0.03  
0.01  
PW  
T
10 µ  
100 µ  
1 m  
10 m  
100 m  
1
10  
Pulse Width PW (S)  
Avalanche Test Circuit  
Avalanche Waveform  
VDSS  
L
1
2
2
EAR  
=
L IAP  
VDS  
Monitor  
VDSS – VDD  
IAP  
Monitor  
V(BR)DSS  
IAP  
Rg  
VDS  
VDD  
D. U. T  
ID  
Vin  
50 Ω  
15 V  
VDD  
0
Rev.5.00 Sep 07, 2005 page 5 of 7