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2SK3155 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SK3155
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内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
文件页数/大小: 8 页 / 88 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK3155  
Static Drain to Source on State  
Resistance vs. Temperature  
Forward Transfer Admittance  
vs. Drain Current  
1000  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
Pulse Test  
300  
100  
Tc = –25°C  
5 A  
25°C  
ID = 10 A  
30  
1
75°C  
VGS = 4 V  
10 A 5 A  
0.3  
0.1  
VDS = 10 V  
Pulse Test  
10 V  
0
10  
50 100  
5
20  
2
0.1  
0.5  
1
0.2  
–40  
0
40  
80  
120  
160  
Case Temperature TC (°C)  
Drain Current ID (A)  
Body to Drain Diode Reverse  
Recovery Time  
Typical Capacitance  
vs. Drain to Source Voltage  
500  
10000  
di / dt = 50 A / µs  
VGS = 0, Ta = 25°C  
3000  
1000  
200  
100  
50  
Ciss  
300  
100  
Coss  
Crss  
20  
30  
10  
10  
5
VGS = 0  
f = 1 MHz  
0.1 0.2  
0.5  
1
2
5
10 20  
0
10  
20  
30  
40  
50  
Reverse Drain Current IDR (A)  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
Dynamic Input Characteristics  
ID = 15 A  
Switching Characteristics  
1000  
500  
200  
160  
120  
80  
20  
16  
12  
8
VGS = 10 V, VDD = 30 V  
PW = 5 µs, duty < 1 %  
VGS  
t
VDD = 100 V  
50 V  
25 V  
d(off)  
200  
100  
50  
t
f
VDS  
t
r
20  
10  
5
t
d(on)  
VDD = 100 V  
50 V  
25 V  
40  
4
0
0
20  
2
5
0.5  
1
10  
20  
40  
60  
80  
100  
0.1 0.2  
Drain Current ID (A)  
Gate Charge Qg (nc)  
Rev.5.00 Sep 07, 2005 page 4 of 7