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2SJ319 参数 Datasheet PDF下载

2SJ319图片预览
型号: 2SJ319
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内容描述: 硅P沟道MOS场效应晶体管 [Silicon P Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 87 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SJ319(L), 2SJ319(S)  
Reverse Drain Current vs.  
Source to Drain Voltage  
–5  
–4  
–3  
–2  
–1  
0
Pulse Test  
10 V  
VGS = 0, 5 V  
0
–0.4  
–0.8  
–1.2  
–1.6  
–2.0  
Source to Drain Voltage VSD (V)  
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width  
3
Tc = 25°C  
D = 1  
0.5  
1
0.3  
0.1  
θch – c (t) = γ s (t) • θch – c  
θch – c = 6.25°C/W, Tc = 25°C  
PW  
D =  
PDM  
T
0.03  
0.01  
PW  
T
10 µ  
100 µ  
1 m  
10 m  
100 m  
1
10  
Pulse Width PW (S)  
Switching Time Test Circuit  
Waveform  
Vin  
Vout  
Monitor  
Vin Monitor  
10%  
D.U.T.  
90%  
RL  
90%  
90%  
VDD  
= –30 V  
Vin  
–10 V  
50 Ω  
10%  
10%  
Vout  
t
t
t
t
f
d(on)  
r
d(off)  
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 7