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FM1608B-SG 参数 Datasheet PDF下载

FM1608B-SG图片预览
型号: FM1608B-SG
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内容描述: 64KB字节宽度5V F-RAM存储器 [64Kb Bytewide 5V F-RAM Memory]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 94 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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FM1608B - 64Kb的字节宽度5V F-RAM
电气规格
绝对最大额定值
符号
描述
V
DD
电源电压相对于V
SS
V
IN
电压的任何引脚相对于V
SS
T
英镑
T
领导
V
ESD
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
静电放电电压
- 人体模型
( AEC - Q100-002牧师E)
- 带电器件模型
( AEC - Q100-011版本B )
- 机型号
( AEC - Q100-003牧师E)
包装湿度敏感度等级
评级
-1.0V至+ 7.0V
-1.0V至+ 7.0V
和V
IN
& LT ; V
DD
+1.0V
-55 ° C至+ 125°C
260° C
4kV
1.25kV
300V
MSL-2
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个压力等级
只是,和该设备在这些或以上在本运算部中列出的任何其它条件的功能操作
规范是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
直流工作条件
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ,V
DD
= 4.5V至5.5V ,除非另有说明)
符号参数
典型值
最大
V
DD
电源
4.5
5.0
5.5
I
DD
V
DD
电源电流
-
15
I
SB1
待机电流( TTL )
-
1.8
I
SB2
待机电流( CMOS )
25
50
I
LI
输入漏电流
-
±1
I
LO
输出漏电流
-
±1
V
IH
输入高电压
2.0
V
DD
+0.3
V
IL
输入低电压
-0.3
0.8
V
OH1
输出高电压(
I
OH
= -2毫安)
2.4
V
OH2
输出高电压(
I
OH
= -100
µA)
V
DD
-0.2
V
OL1
输出低电压(
I
OL
= 4.2 mA)的
0.4
V
OL2
输出低电压(
I
OL
= 150
µA)
0.2
笔记
1.
V
DD
= 5.5V , / CE骑自行车的最小周期时间。所有输入为CMOS电平,输出全部卸载。
2.
V
DD
= 5.5V , / CE在V
IH
,所有其他引脚的TTL电平。
3.
V
DD
= 5.5V , / CE在V
IH
,所有其他引脚为CMOS电平( 0.2V或V
DD
-0.2V).
4.
V
IN
, V
OUT
V之间
DD
和V
SS
.
单位
V
mA
mA
µA
µA
µA
V
V
V
V
V
V
笔记
1
2
3
4
4
修订版1.2
2011年3月
第11 6