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FM1608B-SG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FM1608B-SG
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内容描述: 64KB字节宽度5V F-RAM存储器 [64Kb Bytewide 5V F-RAM Memory]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 94 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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FM1608B - 64Kb的字节宽度5V F-RAM
预充电操作
预充电操作是一个内部条件
准备一个新的访问的存储器。所有的记忆
周期包括一个存储器存取和一个预充电。
预充电是通过拉高/ CE引脚启动
高。它必须保持高电平至少最低
预充电时间t
PC
.
用户确定该操作的开始
由于预充电不会开始,直到/ CE上升。
然而,该装置具有一个最大/ CE为低的时间
规格必须满足。
每秒接入同一行超过10
年。
F- RAM的设计注意事项
当使用F- RAM,用于在第一时间在设计中,用户
SRAM会认识一些细微的差别。
首先,单字节宽, F- RAM存储器锁存每个地址
在芯片上的下降沿启动。这允许
地址总线启动内存后改变
访问。由于每个接入锁存记忆
在/ CE的下降沿地址,用户无法
接地是因为它们可能与SRAM 。
谁是修改现有的设计用户使用F-
RAM应检查内存控制器
定时的地址和控制引脚兼容。
每个存储器访问,必须使用低合格
/ CE的过渡。在许多情况下,这是唯一的
变化的需要。的信号的一个例子
的关系示于下面的图2 。也显示
是一种常见的SRAM的信号关系,即不会
为FM1608B工作。
究其原因, / CE选通为每个地址是两
折叠:它锁存该新地址,并创建
必要的预充电周期,而/ CE为高电平。
耐力
在内部, F-RAM的工作,有读取和还原
机制。因此,每个读写周期
涉及国家的变化。内存架构
是根据行和列的阵列上。每读
或写访问会导致耐力周期的
整行。在FM1608B ,一排是64位宽。
每8个字节的边界标记的一个新的开始
行。耐力可通过确保优化
频繁访问的数据位于不同的行。
无论如何, F-RAM提供了相当高的写
续航能力比其它非易失性存储器。该
10额定疲劳极限
12
周期将使3000
中/ CE有效频闪
CE
FRAM
信号
地址
A1
A2
数据
D1
D2
中/ CE无效频闪
CE
SRAM
信号
地址
A1
A2
数据
D1
D2
图2.芯片使能和内存地址的关系
修订版1.2
2011年3月
第11 4