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    FM1608B-SG 参数 Datasheet PDF下载

    FM1608B-SG图片预览
    型号： FM1608B-SG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64KB字节宽度5V F-RAM存储器 [64Kb Bytewide 5V F-RAM Memory]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 11 页 / 94 K
    品牌： RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
     浏览型号FM1608B-SG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FM1608B-SG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FM1608B-SG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FM1608B-SG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FM1608B-SG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FM1608B-SG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FM1608B-SG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FM1608B-SG的Datasheet PDF文件第9页  
    FM1608B - 64Kb的字节宽度5V F-RAM
    第二个设计考虑涉及的电平
    V
    DD
    在操作过程中。电池支持的SRAM是
    被迫监视V
    DD
    为了切换到电池
    备份。它们通常方框下面的用户访问
    某些V
    DD
    为了防止加载水平
    电池与来自活性SRAM的电流需求。
    用户可从访问该被突然切断
    非易失性存储器中以在断电情况
    没有任何警告或指示。
    F- RAM存储器不需要这个系统开销。
    内存不会阻止任何V访问
    DD
    水平
    符合规定的工作范围。该
    用户应采取措施，防止处理器
    从当访问内存V
    DD
    是出OF-
    耐受性。抱着一个共同的设计实践
    断电期间，处理器处于复位状态可能
    足够了。建议在芯片使能是
    拉高并使其追踪V
    DD
    通电时
    和断电周期。这是用户的责任
    以确保芯片能为高，以防止访问
    低于V
    DD
    分钟。 （ 4.5V ） 。图3示出的上拉
    电阻上/ CE将继续在高脚
    电源周期假设MCU / MPU引脚三态
    在复位状态。上拉电阻值
    的选择应保证/ CE引脚跟踪V
    DD
    YET
    足够高的值，该值当前绘制时/ CE
    低不是一个问题。
    V
    DD
    R
    FM1608B
    CE
    MCU /
    MPU
    WE
    OE
    A(12:0)
    DQ
    图3.在/ CE采用上拉电阻
    修订版1.2
    2011年3月
    第11个5

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