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    FM1608B-SG 参数 Datasheet PDF下载

    FM1608B-SG图片预览
    型号： FM1608B-SG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64KB字节宽度5V F-RAM存储器 [64Kb Bytewide 5V F-RAM Memory]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 11 页 / 94 K
    品牌： RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
     浏览型号FM1608B-SG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FM1608B-SG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FM1608B-SG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FM1608B-SG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FM1608B-SG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FM1608B-SG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FM1608B-SG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FM1608B-SG的Datasheet PDF文件第9页  
    FM1608B - 64Kb的字节宽度5V F-RAM
    A0-A12
    地址
    LATCH &
    解码器
    A0-A12
    8,192 ×8 FRAM阵列
    CE
    WE
    OE
    控制
    逻辑
    I / O锁存器
    公交车司机
    DQ0-7
    图1.框图
    引脚说明
    引脚名称
    A(12:0)
    DQ （ 7 ： 0 ）
    / CE
    TYPE
    输入
    I / O
    输入
    / OE
    / WE
    VDD
    VSS
    输入
    输入
    供应
    供应
    描述
    地址： 13地址线选择的F-RAM阵列中的8,192字节之一。该
    地址值被锁存， / CE的下降沿。
    数据：用于访问所述的F- RAM阵列的8位双向数据总线。
    芯片使能： / CE选择设备时低。主张/ CE为低，使得
    地址在内部锁存。之后发生的更改地址/ CE为低电平
    将被忽略，直到下一个下降沿出现。
    输出使能：断言/ OE为低，使得FM1608B时，驱动数据总线
    有效数据是可用的。拉高/ OE高导致DQ引脚为三态。
    写使能：断言/ WE为低，使得FM1608B写的内容
    数据总线由/ CE的下降沿锁存的地址位置。
    电源电压： 5V
    地
    功能真值表
    / CE
    / WE
    H
    X
    X
    ↓
    L
    H
    L
    ↓
    功能
    待机/预充电
    锁存地址（并开始写的if / WE =低）
    读
    写
    注： / OE引脚控制只有DQ输出缓冲器。
    修订版1.2
    2011年3月
    第11 2

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