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HYB25DC512800CE-6 参数 Datasheet PDF下载

HYB25DC512800CE-6图片预览
型号: HYB25DC512800CE-6
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内容描述: 512 - Mbit的双数据速率SDRAM [512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 35 页 / 1891 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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Internet Data Sheet  
HYB25DC512[800/160]C[E/F]  
512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM  
TABLE 21  
IDD Specification  
Symbol  
–6  
–5  
Unit  
Note1)  
DDR333  
DDR400B  
IDD0  
IDD1  
70  
75  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
×8 2)3)  
×16 3)  
×8 3)  
×16 3)  
3)  
85  
90  
80  
85  
95  
110  
4.6  
30  
IDD2P  
IDD2F  
IDD2Q  
IDD3P  
IDD3N  
4.6  
25  
3)  
3)  
3)  
22  
23  
15  
16  
37  
42  
×83)  
40  
45  
×16 3)  
×8 3)  
×16 3)  
×8 3)  
IDD4R  
IDD4W  
85  
90  
115  
90  
135  
95  
120  
175  
5
135  
190  
5
×16 3)  
3)  
IDD5  
IDD6  
IDD7  
4)  
205  
230  
230  
250  
×83)  
×16 3)  
1) Test conditions : VDD = 2.7 V, TA = 10 °C  
2) DD specifications are tested after the device is properly initialized and measured at 200 MHz.  
I
3) Input slew rate = 1 V/ns.  
4) Enables on-chip refresh and address counters.  
Rev. 1.3, 2006-12  
28  
03292006-W2FE-ELDX  
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