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    IRFZ24N 参数 Datasheet PDF下载

    IRFZ24N图片预览
    型号： IRFZ24N
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    内容描述： N沟道增强模式的TrenchMOS晶体管 [N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 68 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第8页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    N沟道增强模式
    的TrenchMOS
    TM
    晶体管
    机械数据
    尺寸（mm）
    净重： 2克
    IRFZ24N
    4,5
    最大
    10,3
    最大
    1,3
    3,7
    2,8
    5,9
    民
    15,8
    最大
    3,0最大
    不镀锡
    3,0
    13,5
    民
    1,3
    最大
    1 2 3
    (2x)
    2,54 2,54
    0,9最大值（3×）
    0,6
    2,4
    图18 。 SOT78 （ TO220AB ） ; 2脚连接安装基座。
    笔记
    1.请遵守一般注意事项对静电放电敏感器件（ESDS ），以防止
    损坏MOS栅氧化物。
    2.请参阅安装说明SOT78 （ TO220 ）信封。
    3.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
    1999年2月
    7
    启1.000

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