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    IRFZ24N 参数 Datasheet PDF下载

    IRFZ24N图片预览
    型号： IRFZ24N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强模式的TrenchMOS晶体管 [N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 68 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第8页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    N沟道增强模式
    的TrenchMOS
    TM
    晶体管
    静态特性
    T
    j
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS （ TO ）
    I
    DSS
    I
    GSS
    ±V
    （ BR ） GSS
    R
    DS （ ON）
    参数
    漏源击穿
    电压
    栅极阈值电压
    零栅极电压漏极电流
    门源漏电流
    条件
    V
    GS
    = 0 V ;我
    D
    = 0.25毫安;
    T
    j
    = -55˚C
    V
    DS
    = V
    GS
    ; I
    D
    = 1毫安
    T
    j
    = 175˚C
    T
    j
    = -55˚C
    V
    DS
    = 55 V; V
    GS
    = 0 V;
    V
    GS
    =
    ±10
    V; V
    DS
    = 0 V
    T
    j
    = 175˚C
    T
    j
    = 175˚C
    T
    j
    = 175˚C
    分钟。
    55
    50
    2.0
    1.0
    -
    -
    -
    -
    -
    16
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    3.0
    -
    -
    0.05
    -
    0.04
    -
    -
    60
    -
    IRFZ24N
    马克斯。
    -
    -
    4.0
    -
    4.4
    10
    500
    1
    20
    -
    70
    157
    单位
    V
    V
    V
    V
    µA
    µA
    µA
    µA
    V
    mΩ
    mΩ
    栅极 - 源极击穿电压I
    G
    =
    ±1
    毫安;
    漏极 - 源极导通状态
    V
    GS
    = 10 V ;我
    D
    = 10 A
    阻力
    动态特性
    T
    mb
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    g
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D ON
    t
    r
    t
    D OFF
    t
    f
    L
    d
    L
    d
    L
    s
    参数
    正向跨导
    输入电容
    输出电容
    反馈电容
    总栅极电荷
    门五言费
    栅极 - 漏极（米勒）电荷
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    内部排水电感
    内部排水电感
    内部源极电感
    条件
    V
    DS
    = 25 V ;我
    D
    = 10 A
    V
    GS
    = 0 V; V
    DS
    = 25 V ; F = 1 MHz的
    分钟。
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    365
    110
    60
    -
    -
    -
    9
    16
    14
    13
    3.5
    4.5
    7.5
    马克斯。
    -
    500
    135
    85
    19
    5.2
    7.2
    14
    21
    25
    20
    -
    -
    -
    单位
    S
    pF
    pF
    pF
    nC
    nC
    nC
    ns
    ns
    ns
    ns
    nH
    nH
    nH
    V
    DD
    = 44 V ;我
    D
    = 20 A; V
    GS
    = 10 V
    V
    DD
    = 30 V ;我
    D
    = 10 A;
    V
    GS
    = 10 V ; ř
    G
    = 10
    Ω
    阻性负载
    从螺丝接触测量
    标签，模具中心
    从漏极引线6毫米测
    从包装到模具中心
    从源测量导致6毫米
    从包装到源焊盘
    反向二极管极限值和特性
    T
    j
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    I
    DR
    I
    DRM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    参数
    连续反向漏
    当前
    脉冲反向漏电流
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    条件
    分钟。
    -
    I
    F
    = 19.7 A; V
    GS
    = 0 V
    I
    F
    = 19.7 A; -dI
    F
    / DT = 100 A / μs的;
    V
    GS
    = -10 V; V
    R
    = 30 V
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    0.95
    32
    0.12
    马克斯。
    17
    68
    1.2
    -
    -
    单位
    A
    A
    V
    ns
    µC
    1999年2月
    2
    启1.000

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