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    IRFZ24N 参数 Datasheet PDF下载

    IRFZ24N图片预览
    型号： IRFZ24N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强模式的TrenchMOS晶体管 [N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 68 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第8页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    N沟道增强模式
    的TrenchMOS
    TM
    晶体管
    雪崩限值
    符号
    W
    DSS
    参数
    漏源不重复
    非钳位电感关断
    能源
    条件
    I
    D
    = 10 A; V
    DD
    ≤
    25 V;
    V
    GS
    = 10 V ; ř
    GS
    = 50
    Ω;
    T
    mb
    = 25 ˚C
    分钟。
    -
    典型值。
    -
    IRFZ24N
    马克斯。
    30
    单位
    mJ
    120
    110
    100
    90
    80
    70
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    PD ％
    归一化功率降额
    100
    TP =
    ID / A
    RDS （ ON）= VDS / ID
    10us
    10
    1美国
    100美
    DC
    1毫秒
    10ms
    100ms
    1
    10
    0
    20
    40
    60
    80 100
    TMB / C
    120
    140
    160
    180
    1
    VDS / V
    100
    图1 。归一化的功率耗散。
    PD ％ = 100
    ⋅
    P
    D
    /P
    D 25 ˚C
    = F （T
    mb
    )
    归一化电流降额
    如图3所示。安全工作区。牛逼
    mb
    = 25 ˚C
    I
    D
    ＆放大器;我
    DM
    = F（V
    DS
    ); I
    DM
    单脉冲;参数t
    p
    第Z / （K / W）
    120
    110
    100
    90
    80
    70
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    ID％
    10
    1
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    P
    D
    t
    p
    D=
    t
    p
    T
    t
    0.1
    0.02
    T
    0
    0
    20
    40
    60
    80 100
    TMB / C
    120
    140
    160
    180
    0.01
    1.0E-06
    0.0001
    T / S
    0.01
    1
    100
    图2 。正常化的连续漏极电流。
    ID％ = 100
    ⋅
    I
    D
    /I
    D 25 ˚C
    = F （T
    mb
    ） ;条件： V
    GS
    ≥
    10 V
    图4 。瞬态热阻抗。
    Z
    日J- MB
    = F（T） ;参数D = T
    p
    /T
    1999年2月
    3
    启1.000

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