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    IRFZ24N 参数 Datasheet PDF下载

    IRFZ24N图片预览
    型号： IRFZ24N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强模式的TrenchMOS晶体管 [N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 68 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFZ24N的Datasheet PDF文件第8页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    N沟道增强模式
    的TrenchMOS
    TM
    晶体管
    IRFZ24N
    50
    16
    ID / A
    40
    10.0
    9.5
    9.0
    8.5
    8.0
    7.5
    7.0
    20
    6.5
    6.0
    10
    5.5
    5.0
    4.5
    4.0
    14
    12
    VGS / V =
    9
    GFS / S
    8
    7
    6
    5
    4
    3
    2
    30
    0
    0
    2
    4
    VDS / V 6
    8
    10
    0
    5
    10
    ID / A
    15
    20
    25
    图5 。典型的输出特性，T
    j
    = 25 ˚C.
    I
    D
    = F（V
    DS
    ） ;参数V
    GS
    RDS （ ON） /毫欧
    VGS / V =
    6
    100
    6.5
    90
    80
    70
    60
    50
    7
    8
    9 10
    图8 。典型的跨导，T
    j
    = 25 ˚C.
    g
    fs
    = F（我
    D
    ） ;条件： V
    DS
    = 25 V
    BUK959-60
    120
    110
    2.5
    a
    RDS（ON） normlised到25degC
    2
    1.5
    1
    0
    5
    10号/ 15
    20
    25
    30
    0.5
    -100
    -50
    0
    50
    TMB /摄氏度
    100
    150
    200
    图6 。典型通态电阻，T
    j
    = 25 ˚C.
    R
    DS （ ON）
    = F（我
    D
    ） ;参数V
    GS
    25
    ID / A
    20
    图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
    一 - R的
    DS （ ON）
    /R
    DS （ ON） 25 ˚C
    = F （T
    j
    ); I
    D
    = 10 A; V
    GS
    = 10 V
    VGS （ TO ） / V
    马克斯。
    4
    典型值。
    BUK759-60
    5
    15
    3
    分钟。
    10
    2
    5
    TJ / C =
    0
    175
    25
    1
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    VGS / V
    6
    7
    8
    9
    0
    -100
    -50
    0
    50
    TJ / C
    100
    150
    200
    图7 。典型的传输特性。
    I
    D
    = F（V
    GS
    ） ;条件： V
    DS
    = 25 V ;参数T
    j
    图10 。栅极阈值电压。
    V
    GS （ TO ）
    = F （T
    j
    ） ;条件：我
    D
    = 1毫安; V
    DS
    = V
    GS
    1999年2月
    4
    启1.000

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