IRF640S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF640S
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内容描述：	N沟道晶体管的TrenchMOS [N-channel TrenchMOS transistor]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	9 页 / 97 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS ™晶体管

IRF640 ， IRF640S

漏极电流ID （ A）

栅 - 源电压，V GS （V）的

175 C

VDS > ID X RDS （ ON）

4.5

3.5

2.5

1.5

TJ = 25℃

阈值电压VGS （ TO ）（V ）

最大

典型

最低

0.5

-60

-40

-20

100 120 140 160 180

结温TJ（ C）

图7 。典型的传输特性。

= F（V

)

跨导， GFS （ S）

VDS > ID X RDS （ ON）

175 C

TJ = 25℃

图10 。栅极阈值电压。

GS （ TO ）

= F （T

） ;条件：我

= 1毫安; V

= V

漏极电流ID （ A）

1.0E-01

1.0E-02

最低

典型

1.0E-03

1.0E-04

最大

1.0E-05

漏极电流ID （ A）

1.0E-06

0.5

1.5

2.5

3.5

栅 - 源电压，V GS （V）的

4.5

图8 。典型的跨导，T

= 25 ˚C.

= F（我

)

正规化的导通状态电阻

2.9

2.7

2.5

2.3

2.1

1.9

1.7

1.5

1.3

1.1

0.9

0.7

0.5

-60

-40

-20

20 40 60 80 100 120 140 160 180

结温TJ（ C）

图11 。亚阈值漏电流。

= F（V

GS ）

;条件：T已

= 25 ˚C

电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）

10000

西塞

1000

科斯

100

CRSS

0.1

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

DS （ ON）

DS （ ON） 25 ˚C

= F （T

)

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

C = F（V

） ;条件： V

= 0 V ; F = 1 MHz的

1999年8月

启1.100

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