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    IRF640S 参数 Datasheet PDF下载

    IRF640S图片预览
    型号： IRF640S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道晶体管的TrenchMOS [N-channel TrenchMOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 9 页 / 97 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号IRF640S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF640S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF640S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF640S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF640S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF640S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF640S的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF640S的Datasheet PDF文件第9页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    N沟道的TrenchMOS ™晶体管
    IRF640 ， IRF640S
    归一化功率降额， PD （ ％ ）
    100
    90
    80
    70
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    安装基座的温度， TMB （ C）
    150
    175
    10
    瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）
    1
    D = 0.5
    0.2
    0.1
    0.1
    0.05
    0.02
    P
    D
    tp
    D = TP / T
    0.01
    单脉冲
    T
    0.001
    1E-06
    1E-05
    1E-04
    1E-03
    1E-02
    1E-01
    1E+00
    脉冲宽度TP （多个）
    图1 。归一化的功率耗散。
    PD ％ = 100
    ⋅
    P
    D
    /P
    D 25 ˚C
    = F （T
    mb
    )
    图4 。瞬态热阻抗。
    Z
    日J- MB
    = F（T） ;参数D = T
    p
    /T
    漏极电流ID （ A）
    TJ = 25℃
    18
    16
    14
    12
    10
    8
    6
    4
    2
    4.5 V
    5V
    8V
    5.5 V
    VGS = 10V
    6V
    归一化电流降额， ID （ ％ ）
    100
    90
    80
    70
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    安装基座的温度， TMB （ C）
    150
    175
    20
    0
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    1.2
    1.4
    漏 - 源电压， VDS （V ）
    1.6
    1.8
    2
    图2 。正常化的连续漏极电流。
    ID％ = 100
    ⋅
    I
    D
    /I
    D 25 ˚C
    = F （T
    mb
    ); V
    GS
    ≥
    10 V
    峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
    RDS （ ON）= VDS / ID
    TP = 10我们
    10
    图5 。典型的输出特性，T
    j
    = 25 ˚C.
    I
    D
    = F（V
    DS
    )
    100
    0.3
    0.25
    0.2
    漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
    4.5 V
    5V
    TJ = 25℃
    100美
    1毫秒
    10毫秒
    100毫秒
    5.5 V
    0.15
    0.1
    0.05
    6V
    8V
    VGS = 10V
    特区
    1
    0.1
    1
    10
    100
    漏 - 源电压， VDS （V ）
    1000
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    漏极电流ID （ A）
    14
    16
    18
    20
    如图3所示。安全工作区
    I
    D
    ＆放大器;我
    DM
    = F（V
    DS
    ); I
    DM
    单脉冲;参数t
    p
    图6 。典型通态电阻，T
    j
    = 25 ˚C.
    R
    DS （ ON）
    = F（我
    D
    )
    1999年8月
    4
    启1.100

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