飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS ™晶体管
IRF640 ， IRF640S
特点
•
“海沟”
技术
•低通态电阻
•快速开关
•低热阻
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 200 V
I
D
= 16 A
g
R
DS （ ON）
≤
180 mΩ
s
概述
N型沟道，使用增强型的场效应功率晶体管
TRENCH
技术，用于在离线使用
开关电源，电视和电脑显示器电源，直流以直流转换器，电机控制电路
和通用开关应用。
该IRF640是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该IRF640S是在SOT404 （提供ð
2
PAK ）表面贴装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
门
漏
1
来源
漏
描述
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404 （D
2
PAK ）
TAB
2
1 23
1
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ; ř
GS
= 20 kΩ
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 ˚C
T
mb
= 25 ˚C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
200
200
±
20
16
11
64
136
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
˚C
1
这是无法接受的连接销：该SOT404包2中
1999年8月
1
启1.100
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
