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    IRF640S 参数 Datasheet PDF下载

    IRF640S图片预览
    型号： IRF640S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道晶体管的TrenchMOS [N-channel TrenchMOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 9 页 / 97 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号IRF640S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF640S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF640S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF640S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF640S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF640S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF640S的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF640S的Datasheet PDF文件第9页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    N沟道的TrenchMOS ™晶体管
    IRF640 ， IRF640S
    反向二极管极限值和特性
    T
    j
    = 25 ° C除非另有说明
    符号参数
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲电流源（体
    二极管）
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    条件
    分钟。
    -
    -
    I
    F
    = 18 A; V
    GS
    = 0 V
    I
    F
    = 18 A; -dI
    F
    / DT = 100 A / μs的;
    V
    GS
    = 0 V; V
    R
    = 25 V
    -
    -
    -
    典型值。马克斯。单位
    -
    -
    1.0
    130
    0.8
    16
    64
    1.5
    -
    -
    A
    A
    V
    ns
    µC
    1999年8月
    3
    启1.100

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