恩智浦半导体
BSS138BK
60 V ， 360毫安N沟道沟槽MOSFET
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
≤
10 µs
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
T
j
T
AMB
T
英镑
I
S
V
ESD
[1]
[2]
[3]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-20
-
-
-
-
-
-
-55
-55
-65
T
AMB
= 25 °C
HBM
最大
60
20
360
230
1.2
350
420
1140
150
150
150
360
1500
单位
V
V
mA
mA
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
mA
V
结温
环境温度
储存温度
源出电流
静电放电电压
源极 - 漏极二极管
-
-
ESD最大额定值
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水1厘米
2
.
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
测量之间的所有引脚。
120
P
DER
(%)
80
001aao121
120
I
DER
(%)
80
001aao122
40
40
0
-75
-25
25
75
125
T
j
(°C)
175
0
-75
-25
25
75
125
T
j
(°C)
175
图1 。
归一化的总功耗为
结温度的函数
图2 。
标准化的连续漏极电流为
结温度的函数
BSS138BK
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第1版 - 2011年8月4日
3 16
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
