BSS138BK215 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS138BK215
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内容描述：	60 V ， 360毫安N沟道沟槽MOSFET [60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	16 页 / 865 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

恩智浦半导体

BSS138BK

60 V ， 360毫安N沟道沟槽MOSFET

0.6

(A)

0.4

(1)

aaa-000162

1.5

aaa-000163

(2)

0.2

0.5

(2)

(1)

1.0

2.0

(V)

3.0

-60

120

= (°C)

180

＆ GT ;我

个R

DSON

(1) T

= 25 °C

(2) T

= 150 °C

图10.传输特性：漏极电流为

栅极 - 源极电压的函数;典型值

图11.归漏极 - 源极导通电阻为

结温度的函数;典型

值

(1)

aaa-000165

GS （ TH）

(V)

1.5

aaa-000164

（PF ）

(1)

(2)

(3)

(2)

0.5

-60

(3)

120

(°C)

180

-1

(V)

= 0.25毫安; V

= V

（1）最大值

（ 2 ）典型值

（3）的最小值

图12.栅极 - 源极阈值电压的一个函数

结温

F = 1兆赫; V

= 0 V

(1) C

国际空间站

(2) C

OSS

(3) C

RSS

图13.输入，输出和反向传输电容

作为漏极 - 源极电压的函数;典型

值

BSS138BK

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产品数据表

第1版 - 2011年8月4日

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