BSS138BK215 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS138BK215
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内容描述：	60 V ， 360毫安N沟道沟槽MOSFET [60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	16 页 / 865 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

恩智浦半导体

BSS138BK

60 V ， 360毫安N沟道沟槽MOSFET

(V)

aaa-000166

GS （ PL ）

GS （ TH）

GS1

GS2

G（ TOT ）

003aaa508

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

（ NC ）

= 0.3 A; V

= 30 V ;牛逼

AMB

= 25 °C

图14栅极 - 源极电压作为栅极的功能

充电;典型值

0.4

(A)

0.3

图15.栅极电荷波形定义

aaa-000167

(1)

(2)

0.2

0.1

0.4

0.8

(V)

1.2

= 0 V

(1) T

= 150 °C

(2) T

= 25 °C

图16，源电流作为源极 - 漏极电压的函数;典型值

BSS138BK

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产品数据表

第1版 - 2011年8月4日

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