BSH103 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSH103
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内容描述：	N沟道增强型MOS晶体管 [N-channel enhancement mode MOS transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	12 页 / 100 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

MOS晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

合计

参数

漏极 - 源极电压（直流）

栅极 - 源极电压（直流）

漏电流（ DC ）

峰值漏极电流

总功耗

= 80

°C;

注1

注2

= 80

°C

AMB

= 25

°C;

注3

AMB

= 25

°C;

注4

英镑

笔记

1. T

是在漏极引线的焊接点的温度。

2.脉冲宽度和占空比限制的最高结温。

3.器件安装在印刷电路板用的R

TH A- TP

（环境，以配合点）的27.5 K / W 。

4.设备安装在印刷电路板用的R

TH A- TP

（环境，以配合点） 90 K / W 。

储存温度

工作结温

= 80

°C

注2

条件

−

−55

−

分钟。

BSH103

马克斯。

±8

0.85

3.4

0.5

0.75

0.54

+150

单位

°C

源极 - 漏极二极管

源电流（ DC）的

峰值脉冲电流源

0.5

MGM190

MBK502

手册， halfpage

0.6

手册， halfpage

P合计

(W)

0.4

IDS

(A)

(2)

(1)

−

0.2

−

120

TS （ ° C）

160

−

VDS （ V）

= T

= 0.01; T

= 80

°C.

(1) R

DSON

限制。

（2 ）脉冲。

图2功率降额曲线。

图3一飞冲天。

1998年02月11日

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